Infineon FRAMメモリ， 64kbit， DFN， SPI， FM25CL64B-DG
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様
メモリサイズ = 64kbit
構成 = 8 K x 8ビット
インターフェースタイプ = SPI
データバス幅 = 8bit
最大ランダムアクセス時間 = 20ns
実装タイプ = 表面実装
パッケージタイプ = DFN
ピン数 = 8
寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm
長さ = 4.5mm
幅 = 4mm
高さ = 0.7mm
動作温度 Max = +85 ℃
動作温度 Min = -40 ℃bit
構成 = 8 K x 8ビット
インターフェースタイプ = SPI
データバス幅 = 8bit
最大ランダムアクセス時間 = 20ns
実装タイプ = 表面実装
パッケージタイプ = DFN
ピン数 = 8
寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm
長さ = 4.5mm
幅 = 4mm
高さ = 0.7mm
動作温度 Max = +85 ℃
動作温度 Min = -40 ℃bit
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1袋(2個)
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