Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 522 A 表面実装 パッケージD2PAK-7 7 ピン
NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 522 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
パッケージタイプ = D2PAK-7
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 7
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 μΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V
最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V
最大パワー消費 = 375 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
動作温度 Max = +175 ℃mm
順方向ダイオード電圧 = 1.2V
最大連続ドレイン電流 = 522 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
パッケージタイプ = D2PAK-7
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 7
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 μΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V
最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V
最大パワー消費 = 375 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
動作温度 Max = +175 ℃mm
順方向ダイオード電圧 = 1.2V
内容量1セット(800個)
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