Infineon Nチャンネル MOSFET800 V 3.9 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
Infineon の 800 V Cool MOS CE MOSFET は、安全性と性能及び耐久性を兼ね備えた高電圧容量で、最高の効率レベルで安定した設計が可能です。RoHS に準拠しています
仕様
チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 3.9 A
最大ドレイン-ソース間電圧 800 V
シリーズ CoolMOS(TM) CE
実装タイプ 表面実装
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 1.4 Ω
最大ゲートしきい値電圧 3.9V
1チップ当たりのエレメント数 1
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1セット(2500個)
最大連続ドレイン電流 3.9 A
最大ドレイン-ソース間電圧 800 V
シリーズ CoolMOS(TM) CE
実装タイプ 表面実装
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 1.4 Ω
最大ゲートしきい値電圧 3.9V
1チップ当たりのエレメント数 1
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