Infineon Pチャンネル MOSFET12 V 4.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様
チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 4.3 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 0.95V
最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V
最大パワー消費 = 1.3 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 10 nC @ 5 Vmm
高さ = 1.02mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1セット(3000個)
最大連続ドレイン電流 = 4.3 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 0.95V
最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V
最大パワー消費 = 1.3 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 10 nC @ 5 Vmm
高さ = 1.02mm
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