曜日別特売

Infineon Pチャンネル MOSFET12 V 4.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン

Infineon Pチャンネル MOSFET12 V 4.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン - INFINEON

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

仕様
チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 4.3 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 0.95V
最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V
最大パワー消費 = 1.3 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 10 nC @ 5 Vmm
高さ = 1.02mm
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1セット(3000個)
1件中 11各品番毎の詳細は注文コードをクリックしてください
注文コード
品番
参考基準価格 (税別)販売価格(税別)販売価格(税込)
出荷目安
数量
83844400IRLML6401TRPBF
オープン
49,980
54,978(税込)
7日以内出荷
返品不可
各品番毎の詳細は注文コードをクリックしてください
購買の手間を削減したい、経費精算を楽にしたい。そんなお悩み解決します

商品レビュー

商品レビューを投稿すると毎月抽選で1,000名様500円クーポンをプレゼント!

よくあるご質問(FAQ)

ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。

ディスクリート」にはこんなカテゴリがあります

シェアする
この商品についてXでポストする
この商品についてFacebookでシェアする