Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 57 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン
Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル - 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)
仕様
チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 57 A
最大ドレイン-ソース間電圧 30 V
シリーズ OptiMOS(TM)
実装タイプ 表面実装
ピン数 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 7.2 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 2V
最低ゲートしきい値電圧 1.2V
最大パワー消費 28 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V
トランジスタ素材 Simm
動作温度 Min -55 ℃mm
内容量1袋(25個)
最大連続ドレイン電流 57 A
最大ドレイン-ソース間電圧 30 V
シリーズ OptiMOS(TM)
実装タイプ 表面実装
ピン数 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 7.2 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 2V
最低ゲートしきい値電圧 1.2V
最大パワー消費 28 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V
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