Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 89 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 89 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 MO
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
1チップ当たりのエレメント数 = 1
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(10個)
最大連続ドレイン電流 = 89 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 MO
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
1チップ当たりのエレメント数 = 1
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