Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン
Infineon OptiMOSデュアルパワーMOSFET
仕様
チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 300 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 60 V
シリーズ OptiMOS(TM)
実装タイプ 表面実装
ピン数 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 4 Ω
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 2.5V
最低ゲートしきい値電圧 1.5V
最大パワー消費 500 mW
トランジスタ構成 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 2mm
動作温度 Min -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1セット(500個)
最大連続ドレイン電流 300 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 60 V
シリーズ OptiMOS(TM)
実装タイプ 表面実装
ピン数 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 4 Ω
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 2.5V
最低ゲートしきい値電圧 1.5V
最大パワー消費 500 mW
トランジスタ構成 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 2mm
動作温度 Min -55 ℃mm
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