Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 3.4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様
チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 3.4 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 170 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 2mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
最大連続ドレイン電流 = 3.4 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 170 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 2mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1袋(10個)
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