Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 4.4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様
チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 4.4 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V パッケージタイプ = SOT-223 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 2V 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 2.1 W トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V 1チップ当たりのエレメント数 = 1mm 動作温度 Min = -55 ℃mm