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不揮発性メモリ(NVRAM) Infineon

不揮発性メモリ(NVRAM) Infineon - INFINEON

Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。

仕様
メモリサイズ = 4Mbit
構成 = 512 K x 8ビット
インターフェースタイプ = パラレル
データバス幅 = 8bit
最大ランダムアクセス時間 = 45ns
実装タイプ = 表面実装
パッケージタイプ = TSOP
ピン数 = 44
寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.04mm
長さ = 18.51mm
幅 = 10.26mm
高さ = 1.04mm
動作供給電圧 Max = 3.6 V
動作温度 Max = +85 ℃
ワード数 = 512Kbit
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1個
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注文コード
品番
参考基準価格 (税別)販売価格(税別)販売価格(税込)
出荷目安
数量
84014859CY14B104LA-ZS25XI
オープン
6,398
7,038(税込)
5日以内出荷
返品不可
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