onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， PNP， 表面実装， MJB45H11G
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： -80 V●パッケージタイプ ： D2PAK (TO-263)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 50 W●最小DC電流ゲイン ： 60●トランジスタ構成 ： シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V dc●ピン数 ： 2 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1セット(50個)
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