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onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, MJB45H11G

onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, MJB45H11G - onsemi
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -80 V●パッケージタイプ : D2PAK (TO-263)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 50 W●最小DC電流ゲイン : 60●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●ピン数 : 2 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応内容量1セット(50個)
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02245087MJB45H11G
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