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onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, NSV1C201MZ4T1G

onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, NSV1C201MZ4T1G - onsemi
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : SOT-223 (SC-73)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 2 W●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 7 V dc●ピン数 : 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 6.7×3.7×1.65mm●鉛フリーデバイス 品番の先頭が「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 利点 リードなし 最終製品 ポータブル及びバッテリ駆動製品 用途 電力管理RoHS指令(10物質対応)対応内容量1セット(1000個)
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02249601NSV1C201MZ4T1G
オープン
35,980
39,578(税込)
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