MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
その他【Id、Vgs印加時のRds On(最大)】80ミリオーム @ 3.7A、10V、【Id印加時のVgs(th)】最大3V @ 250μA、【Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)】20nC @ 10V、8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)タイプ【FET】2Nチャンネル(デュアル)電流(A)(25℃での連続ドレイン(Id))：3.7機能【FET】論理レベルゲートRoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-55～175(TJ)実装タイプ面実装最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大電力(W)2.4内容量1個
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