- 仕様
- ●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 150 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： SOT-563●実装タイプ： 表面実装●最大パワー消費： 150 mW●最小DC電流ゲイン： 820●トランジスタ構成： 絶縁型●最大コレクタ-ベース間電圧： 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 12 V●最大動作周波数： 100 MHz●ピン数： 6●1チップ当たりのエレメント数： 2●寸法： 1.6×1.2×0.5mm●2つのトランジスタが集積された超小型パッケージのデバイスで、プリアンプ差動増幅回路、高周波発振器、ドライバICなどのさまざまな用途に適しています。超コンパクトな複合バイポーラトランジスタ プリアンプ用 小型表面実装パッケージ 鉛フリー
