- 仕様
- チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 43 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 300 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 69 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
パッケージタイプ = TO-3PN
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
トランジスタ素材 = Si
QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応