STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 60 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 110W
動作温度 Min = -55 ℃
NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。