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STP57N65M5 STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET STMicro 47185383

STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET

(1件のレビュー)
取扱い終了
内容量1個仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:42 A 最大ドレイン-ソース間電圧:710 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:63 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:5V 最低ゲートしきい値電圧:3V 最大ゲート-ソース間電圧:-25 V, +25 V パッケージタイプ:TO-220 実装タイプ:スルーホール トランジスタ構成:シングル チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:250 W 標準入力キャパシタンス @ Vds:4200 pF @ 10 V NチャンネルMDmesh(TM) M5シリーズ、STMicroelectronics. MDmesh M5パワーMOSFETは、高出力PFC及びPWMトポロジ向けに最適化されています。 シリコン区画あたりのオンステート損失の低さと低ゲート電荷が特長です。 太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。注文コード47185383品番STP57N65M5
大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。
参考基準価格(税別)オープン
仕様
チャンネルタイプ:N
最大連続ドレイン電流:42 A
最大ドレイン-ソース間電圧:710 V
最大ドレイン-ソース間抵抗:63 mΩ
最大ゲートしきい値電圧:5V
最低ゲートしきい値電圧:3V
最大ゲート-ソース間電圧:-25 V, +25 V
パッケージタイプ:TO-220
実装タイプ:スルーホール
トランジスタ構成:シングル
チャンネルモード:エンハンスメント型
カテゴリー:パワーMOSFET
最大パワー消費:250 W
標準入力キャパシタンス @ Vds:4200 pF @ 10 V
NチャンネルMDmesh(TM) M5シリーズ、STMicroelectronics. MDmesh M5パワーMOSFETは、高出力PFC及びPWMトポロジ向けに最適化されています。 シリコン区画あたりのオンステート損失の低さと低ゲート電荷が特長です。 太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
購買の手間を削減したい、経費精算を楽にしたい。そんなお悩み解決します

商品レビュー

平均満足度:
総レビュー件数:1
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対象商品 : 47185383
2021-06-12
用途: バイクのイグナイタ強化に
サービス業

イグナイタのトランジスタ強化として購入しました。
取り付け後は低速時のトルク感が上がり乗りやすくなりました。
納期が1週間ほど掛かりましたのでもうちょっと早いと助かります。

よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。この商品について質問する
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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