- 仕様
- 【カテゴリー】パワーMOSFETPowerTrenchRNチャンネルMOSFET、10~19.9A、FairchildSemiconductor
- 動作温度(℃)
- 150
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- パッケージ
- SOIC
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(W)
- 5
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(A)
- 18
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 60
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 7
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 2
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20・20
- トランジスタ構成
- シングル