- 仕様
- UltraFETRMOSFET、FairchildSemiconductor.UItraFETRTrenchMOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。用途高周波DCDCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理
- 幅(mm)
- 4.83
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- パッケージ
- TO220AB
- 実装タイプ
- スルーホール
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(mW)
- 200000
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(A)
- 75
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 55
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 12
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 2
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20、20
- トランジスタ構成
- シングル
- カテゴリー
- パワーMOSFET