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FDS6576 ON Semiconductor MOSFET ON SEMICONDUCTOR 47872598

ON Semiconductor MOSFET

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内容量
1リール(2500個)
実装タイプ
表面実装
仕様
【カテゴリー】パワーMOSFET、PowerTrenchRPチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor.PowerTrenchRMOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrenchRMOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM(性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。PowerTrenchRMOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
注文コード
47872598
品番
FDS6576
参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥241,780
販売価格(税別)
219,800
仕様
【カテゴリー】パワーMOSFET、PowerTrenchRPチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor.PowerTrenchRMOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrenchRMOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM(性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。PowerTrenchRMOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
ピン数(ピン)
8
RoHS指令(10物質対応)
対応
パッケージ
SOIC
実装タイプ
表面実装
チャンネルタイプ
P
最大パワー消費(W)
2.5
材質(トランジスタ)
Si
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)
11
最大ドレイン-ソース間電圧(V)
20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
14
最大ゲート-ソース間電圧(V)
-20・20
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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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