- 仕様
- 【カテゴリー】パワーMOSFET、QFETRNチャンネルMOSFET、6~10.9A、FairchildSemiconductor.FairchildSemiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
- 動作温度(℃)
- 150
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- パッケージ
- TO-220AB
- 実装タイプ
- スルーホール
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(mW)
- 135000
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(A)
- 10.5
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 400
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 530
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 2
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -30・30
- トランジスタ構成
- シングル