- 仕様
- 強化モードPチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor.強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
- ピン数(ピン)
- 3Tab
- 動作温度(℃)
- -55
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- パッケージ
- SOT223
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- P
- 最大パワー消費(W)
- 3
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(A)
- 2.5
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 60
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 300
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 2
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20、20
- カテゴリー
- パワーMOSFET