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SI1902CDL-T1-GE3 Vishay Nチャンネル パワーMOSFET VISHAY 48813285

Vishay Nチャンネル パワーMOSFET

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取扱い終了代引不可
内容量1リール(3000個)
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
実装タイプ表面実装
最大連続ドレイン電流(A)1.1
23
5.9
8
100
11
12
12.7
120
14
15
2.4
2.6
20
28
29
4.3
4.8
45
5
5.4
64
65
7.2
7.7
70
9.9
内容量1リール(3000個)注文コード48813285品番SI1902CDL-T1-GE3
大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。
参考基準価格(税別)オープン
ピン数(ピン)6パッケージSOT-363実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)0.42チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.1最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)0.306最大ゲートしきい値電圧(V)1.5最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)12標準ゲートチャージ2nCカテゴリーパワーMOSFET
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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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