仕様NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOT-523 (SC-89)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)236
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1.2
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)140
最小ゲートしきい値電圧(V)0.7
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET