仕様NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOT-523 (SC-89)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)236チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.2最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)140最小ゲートしきい値電圧(V)0.7最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET