仕様NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay SemiconductorsRoHS指令(10物質対応)対応パッケージSO実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)104標準ターンオン遅延時間(ns)28チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)100最大ドレイン-ソース間電圧(V)80最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)3.4最大ゲートしきい値電圧(V)3.4最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET