仕様NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージD2PAK (TO-263)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)3.1
標準ターンオフ遅延時間(ns)21
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)5
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.4
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET