仕様NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応パッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)3.1標準ターンオフ遅延時間(ns)21チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)5最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.4最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET