仕様NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductorピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)3100チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)8最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)850最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20標準ゲートチャージ63nC@10VカテゴリーパワーMOSFET