仕様NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージD2PAK (TO-263)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)3100
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)8
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)850
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
標準ゲートチャージ63nC@10V
カテゴリーパワーMOSFET