仕様NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージTO-220FP
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)40
標準ターンオフ遅延時間(ns)44
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)9.9
最大ドレイン-ソース間電圧(V)200
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、+10
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET