仕様NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-220FP実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)40標準ターンオフ遅延時間(ns)44チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)9.9最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、+10トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET