仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)6
パッケージTSOP
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)2000
標準ターンオフ遅延時間(ns)23、28
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1.1
最大ドレイン-ソース間電圧(V)150
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)750
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET