仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)8
動作温度(℃)(Min)-55
パッケージPowerPAK 1212
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)12.5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1.7
最大ドレイン-ソース間電圧(V)150
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.3
最小ゲートしきい値電圧(V)2.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET