仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor長さ(mm)10.67ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)3チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.8最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)3最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20カテゴリーパワーMOSFET