仕様PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPowerPAK 1212実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)52.1チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)11.5最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)20最小ゲートしきい値電圧(V)1.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET