仕様PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応パッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)3750チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)110最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)8最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20カテゴリーパワーMOSFET