仕様PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)5チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)13.4最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)20最大ゲートしきい値電圧(V)1最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET