仕様PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)13.4
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)20
最大ゲートしきい値電圧(V)1
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET