仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプP最大パワー消費(W)150チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)19最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)200最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET