仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
動作温度(℃)(Max)+175
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)150
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)19
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)200
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET