Vishay Pチャンネル パワーMOSFET

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内容量1リール(3000個) 実装タイプ表面実装 注文コード48816243 品番SISS23DN-T1-GE3
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参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥164,780
販売価格(税別)
149,800
この商品は実装タイプ・動作温度・内容量など98種類から選べます 他の種類を見る
仕様PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージPowerPAK 1212 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプP 最大パワー消費(W)57 チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)27 最大ドレイン-ソース間電圧(V)20 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)11.5 最小ゲートしきい値電圧(V)0.4 最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8 標準ゲートチャージ195nC@10V カテゴリーパワーMOSFET

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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