仕様PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductorsピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPowerPAK 1212実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)57チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)27最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)11.5最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8標準ゲートチャージ195nC@10VカテゴリーパワーMOSFET