- 仕様
- PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
- 動作温度(℃)
- (Max)+150
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- パッケージ
- PowerPAK 1212
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- P
- 最大パワー消費(W)
- 3.2
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(A)
- 3.9
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 60
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 115
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 1
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20、+20
- トランジスタ構成
- シングル
- カテゴリー
- パワーMOSFET