仕様PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductorピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOT-23 (TO-236)実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)1.7材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)4.7最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)67.5最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8カテゴリーパワーMOSFET