仕様PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductorピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-220AB実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプP最大パワー消費(W)40チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)6.1最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)280最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20カテゴリーパワーMOSFET