仕様PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)40
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)6.1
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)280
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET