仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージD2PAK (TO-263)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)125
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)6.8
最大ドレイン-ソース間電圧(V)200
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)500
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET