仕様PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor寸法(mm)1.7×1.2×0.6ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOT-523 (SC-89)実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)236チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)760最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)244最小ゲートしきい値電圧(V)0.7最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12カテゴリーパワーMOSFET