仕様PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
寸法(mm)1.7×1.2×0.6
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOT-523 (SC-89)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)236
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)760
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)244
最小ゲートしきい値電圧(V)0.7
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12
カテゴリーパワーMOSFET