仕様PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductors
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージTSOP
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)3.6
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)8
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)51
最大ゲートしきい値電圧(V)1
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8
カテゴリーパワーMOSFET