仕様PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductorsピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTSOP実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプP最大パワー消費(W)3.6チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)8最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)51最大ゲートしきい値電圧(V)1最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8カテゴリーパワーMOSFET