仕様デュアルNチャンネルMOSFET、TrenchFETR Gen IV、Vishay Semiconductorピン数(ピン)8パッケージSO実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)48標準ターンオン遅延時間(ns)13チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)30最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)16最大ゲートしきい値電圧(V)3.5最小ゲートしきい値電圧(V)2.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20カテゴリーパワーMOSFET