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BSD235CH6327XTSA1 Infineon N Pチャンネル 小信号 MOSFET INFINEON 49240215

Infineon N Pチャンネル 小信号 MOSFET

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内容量1リール(3000個)仕様チャンネルタイプ:N, P 、 最大連続ドレイン電流:530 mA, 950 mA 、 最大ドレイン-ソース間電圧:20 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:600 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:1.2V 、 最低ゲートしきい値電圧:0.6V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V 、 パッケージタイプ:SOT-363 (SC-88) 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:6 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:小信号 、 最大パワー消費:500 mW 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 Infineon OptiMOS(TM)2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS(TM)2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。注文コード49240215品番BSD235CH6327XTSA1
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参考基準価格(税別)オープン
仕様チャンネルタイプ:N, P 、 最大連続ドレイン電流:530 mA, 950 mA 、 最大ドレイン-ソース間電圧:20 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:600 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:1.2V 、 最低ゲートしきい値電圧:0.6V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V 、 パッケージタイプ:SOT-363 (SC-88) 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:6 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:小信号 、 最大パワー消費:500 mW 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 Infineon OptiMOS(TM)2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS(TM)2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。
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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-30

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