製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。 https://help.monotaro.com/app/ask 書類名） 1：SDS(MSDS) 2：RoHS(2) 3：非該当証明書 4：ChemSHERPA 5：その他（ミルシート・出荷証明書）

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Infineon Nチャンネル MOSFET

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内容量1リール(5000個) 仕様チャンネルタイプ：N 、最大連続ドレイン電流：40 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：40 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：14.2 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：2V 、最低ゲートしきい値電圧：1.2V 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：TSDSON 、実装タイプ：表面実装、ピン数：8 、チャンネルモード：エンハンスメント型、最大パワー消費：35 W 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 Infineon OptiMOS(TM)3パワーMOSFET、最大40 V. OptiMOS(TM)製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 R DS(on) 鉛フリーめっき注文コード49243758 品番BSZ097N04LSGATMA1

参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込) ￥351,780

販売価格(税別)

￥319,800

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仕様チャンネルタイプ：N 、最大連続ドレイン電流：40 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：40 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：14.2 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：2V 、最低ゲートしきい値電圧：1.2V 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：TSDSON 、実装タイプ：表面実装、ピン数：8 、チャンネルモード：エンハンスメント型、最大パワー消費：35 W 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 Infineon OptiMOS(TM)3パワーMOSFET、最大40 V. OptiMOS(TM)製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 R DS(on) 鉛フリーめっき RoHS指令(10物質対応)対応

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質問：: 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

回答：: お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
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3：非該当証明書
4：ChemSHERPA
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