仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:1.4 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V 、 最大ゲートしきい値電圧:1.5V 、 最低ゲートしきい値電圧:0.8V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:SOT-23 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:3 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:MOSFET 4極管 、 最大パワー消費:200 mW 、 動作温度 Max:+150 ℃ 、 InfineonデュアルゲートMOSFET 4極管. Infineon製のデュアルゲート、低ノイズの4極管MOSFET RFトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応