仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:1.4 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ゲートしきい値電圧:1.5V●最低ゲートしきい値電圧:0.8V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-23●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:MOSFET 4極管●最大パワー消費:200 mW●高さ:0.9mm●InfineonデュアルゲートMOSFET 4極管. Infineon製のデュアルゲート、低ノイズの4極管MOSFET RFトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応