仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:25 mA●最大ドレイン-ソース間電圧:8 V●最低ゲートしきい値電圧:0.6V●最大ゲート-ソース間電圧:+6 V●パッケージタイプ:SOT-363 (SC-88)●実装タイプ:表面実装●ピン数:6●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:MOSFET 4極管●最大パワー消費:200 mW●標準パワーゲイン:31 dB●InfineonデュアルゲートMOSFET 4極管. Infineon製のデュアルゲート、低ノイズの4極管MOSFET RFトランジスタ