仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:30 mA●最大ドレイン-ソース間電圧:12 V●最大ゲートしきい値電圧:2.5V●最低ゲートしきい値電圧:0.8V●最大ゲート-ソース間電圧:-2.5 V, -2 V●パッケージタイプ:SOT-143●実装タイプ:表面実装●ピン数:4●カテゴリー:MOSFET 4極管●最大パワー消費:200 mW●幅:1mm●InfineonデュアルゲートMOSFET 4極管. Infineon製のデュアルゲート、低ノイズの4極管MOSFET RFトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応