BSS192PH6327FTSA1 Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFET INFINEON 49261599

Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFET

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内容量1リール(1000個)仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:190 mA●最大ドレイン-ソース間電圧:250 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:20 Ω●最大ゲートしきい値電圧:2V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-89●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:小信号●最大パワー消費:1 W●寸法:4.5 x 2.5 x 1.5mm●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応注文コード49261599品番BSS192PH6327FTSA1
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参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥38,478
販売価格(税別)
34,980
仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:190 mA●最大ドレイン-ソース間電圧:250 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:20 Ω●最大ゲートしきい値電圧:2V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-89●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:小信号●最大パワー消費:1 W●寸法:4.5 x 2.5 x 1.5mm●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
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よくあるご質問(FAQ)

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製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
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書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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