内容量1リール(1000個)
仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:190 mA●最大ドレイン-ソース間電圧:250 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:20 Ω●最大ゲートしきい値電圧:2V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-89●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:小信号●最大パワー消費:1 W●寸法:4.5 x 2.5 x 1.5mm●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
注文コード49261599
品番BSS192PH6327FTSA1